化學成分

碳（C）：≤0.03%錳（Mn）：≤0.50%硅（Si）：≤0.30%磷（P）：≤0.020%硫（S）：≤0.020%銅（Cu）：≤0.20%鉻（Cr）：≤0.20%鉬（Mo）：≤0.20%鎳（Ni）：28.5 - 29.5%鈷（Co）：16.8 - 17.8%鐵（Fe）：余量注：在平均線膨脹系數達標時，鎳、鈷含量可適當偏離范圍；鋁、鎂、鋯、鈦含量各≤0.10%，總量≤0.20% 。

物理性能

密度：8.25g/cm3熔點：約 1450℃居里點：430℃電阻率：0.48μΩ?m平均線膨脹系數（20 - 60℃）：7.8×10??/℃；（20 - 100℃）：6.4×10??/℃；（20 - 200℃）：5.9×10??/℃；（20 - 300℃）：5.3×10??/℃；（20 - 400℃）：5.1×10??/℃；（20 - 450℃）：5.3×10??/℃；（20 - 500℃）：6.2×10??/℃；（20 - 550℃）：7.1×10??/℃；（20 - 600℃）：7.8×10??/℃；（20 - 700℃）：9.2×10??/℃；（20 - 800℃）：10.2×10??/℃；（20 - 900℃）：11.4×10??/℃

機械性能

抗拉強度（冷態）：520MPa；（退火態）：參考值（因具體退火工藝而異）屈服強度（冷態）：330MPa；（退火態）：參考值（因具體退火工藝而異）伸長率（冷態）：30%；（退火態）：參考值（因具體退火工藝而異）

性能優勢

1. 在 20 - 450℃溫度區間，線膨脹系數與硅硼硬玻璃相近，能實現金屬與玻璃的匹配封接，保證密封性能 。2. 居里點較高，低溫組織穩定性良好，在低溫環境下能保持性能穩定，尺寸變化小 。3. 氧化膜致密，易被玻璃浸潤，可增強封接的牢固性 。4. 不與汞發生作用，適用于含汞放電的儀表 。5. 具有良好的沖壓和焊接性能，加工性能好，便于制成各種形狀的零部件 。

應用領域

1. 電真空元器件：如發射管、振蕩管、引燃管、磁控管、晶體管、密封插頭、繼電器、集成電路的引出線、底盤、外殼、支架等，用于實現與玻璃的可靠封接 。2. 半導體器件和集成電路：作為保護涂層用于外引腳，防止腐蝕并確保可焊性 。3. 電子工業和電真空工業：因其良好的綜合性能，廣泛應用于各類需要金屬與玻璃封接的部件制造 。

加工工藝

1. 熔煉：采用真空感應熔煉等工藝，保證合金成分均勻，減少雜質 。2. 成型：可通過軋制、鍛造、拉拔等工藝制成絲、帶、板、管、棒等形狀 。3. 熱處理：在氫氣氣氛中，先加熱至 900℃±20℃，保溫 1h，再加熱至 1100℃±20℃，保溫 15min，隨后以不大于 5℃/min 的速度冷卻至 200℃以下出爐 。4. 冷加工：根據材料厚度不同，采用不同的冷軋工藝，如厚度≥1.0mm 的冷態帶鋼，經熱軋開坯、熱處理、酸洗、修磨精整、四輥可逆冷軋機冷初軋、連續爐光亮退火、滾銑刷料、四輥可逆冷軋機冷精軋、剪邊分條等工序；厚度≤1.0mm 的軟態鋼帶，經冷軋卷剪邊、連續爐光亮退火、滾銑刷料、十二輥可逆冷式軋機、連續爐光亮退火、剪邊分條等工序 。